I.B.M.的研究员和佐治亚技术研究所今天将宣布他们打破了基于硅的芯片的速度纪录与比常用的芯片今天250次快速地操作的半导体。

使用液体氦气，研究员，使用一个低温测试站，通过“冷冻”芯片达到了速度里程碑对451度在零的华氏之下。

在500千兆赫，技术比在今天手机的芯片250次快速地是，经营在2千兆赫。 在室温，芯片比在商业使用的其他芯片快速地经营在350千兆赫，今天。

老墨菲和他的法律的好消息。

研究小组在南韩包括从佐治亚技术和韩国大学的从I.B.M.微电子学的学生和研究员。 结果在技术杂志IEEE电子设备信件的7月问题将报告。
通过 NYT