I ricercatori a I.B.M. e l'Istituto di Tecnologia della Georgia annunceranno oggi che hanno rotto l'annotazione di velocit� per i circuiti integrati silicone-basati con un semiconduttore che aziona oggi 250 volte pi� velocemente dei circuiti integrati comunemente usati.

I ricercatori, usando una stazione di prova criogenica, hanno realizzato la pietra miliare di velocit� congelando il circuito integrato a 451 grado sotto Fahrenheit zero, usando l'elio liquido.

A 500 gigahertz, la tecnologia � 250 volte pi� velocemente dei circuiti integrati in odierni cellulari, che funzionano a 2 gigahertz. Alla temperatura ambiente, i circuiti integrati funzionano a 350 gigahertz, ben pi� velocemente di altri circuiti integrati nell'uso commerciale oggi.

Buone notizie per Murphy anziano e la sua legge.

Il gruppo di ricerca ha incluso gli allievi da tecnologia della Georgia e dall'universit� della Corea nel Sud Corea ed i ricercatori dalle microelettroniche di I.B.M. I risultati saranno segnalati nell'emissione di luglio delle lettere del dispositivo di elettrone dello IEEE del giornale tecnico.
via NYT